2016101440173：基于表面等离激元增强 Ga2O3薄膜的紫外火焰探测器及其制备方法

专利名称	【2016101440173】基于表面等离激元增强 Ga2O3薄膜的紫外火焰探测器及其制备方法					响应
生效日期	2023-09-17	许可期限	2024-12-24	专利权人	东港智科产业园有限公司
许可费方式	3	支付标准	一次总付
联系人	高亮	联系电话	13465277766	电子邮件	692935@qq.com
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