本发明公开了一种超高非线性ZnO‑Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基压敏陶瓷及其制备方法。材料由ZnO、Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、MnO<Sub>2</Sub>、Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Sb<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和Er<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>组成，配方为94mol%ZnO+3.0  mol%Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>+1.0  mol%MnO<Sub>2</Sub>+1.0  mol%Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>+1.0  mol%Sb<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>+<I>x</I>  wt%Er<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中x=0~12。按照配方，称取相应的原材料后，利用固相烧结法分别在900<Sup>o</Sup>C至1000<Sup>o</Sup>C之间保温2‑5小时后得到相应的压敏陶瓷材料。当<I>x</I>=10、烧结温度为980<Sup>o</Sup>C时，本发明获得的ZnO‑Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>基压敏电阻材料综合性能为：压敏场强为940V/mm，非线性系数α高达1032，漏电流I<Sub>L</Sub>=0.9μＡ。另外，本发明的制备方法具有工艺简单，能耗小，绿色环保等优点，具有实用性和应用前景。