发明公开了低烧结温度介电性能可调的微波介质陶瓷及制备方法，其化学通式为Pr<Sub>2</Sub>Ti<Sub>3‑</Sub>
<Sub>x</Sub>Zr<Sub>x</Sub>Mo<Sub>9</Sub>O<Sub>36</Sub>，其中0≤x≤2.7。制备工艺包括：配料、球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排胶和烧结。本发明提供了一种新型稀土和钛的双钼酸盐微波介质陶瓷Pr<Sub>2</Sub>Ti<Sub>3</Sub>Mo<Sub>9</Sub>O<Sub>36</Sub>，并通过引入Zr<Sup>4+</Sup>调节了其介电性能。本发明中的微波介质陶瓷具有较低的烧结温度(650~800°C)、低介电常数(<I>ε</I>
<Sub>
<I>r</I>
</Sub>=10.7～16.4)、高的品质因数(<I>Q•f</I>＝18,700～80,700  GHz)及近零的谐振频率温度系数(<I>τ</I>
<Sub>
<I>f</I>
</Sub>=‑14.1～‑2.6  ppm/°C)。本发明提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中的介质谐振器、滤波器、天线等关键元器件，并使这些元器件适合更高频率下的应用。