2020104075341：一种可模拟神经突触的聚合物/量子点薄膜忆阻器及其制备方法

专利名称	【2020104075341】一种可模拟神经突触的聚合物/量子点薄膜忆阻器及其制备方法
合同备案号	X2024980003446	备案日期	2024-03-25	许可人	天津理工大学
许可类型	普通许可	被许可人	天津铸金科技开发股份有限公司
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