2010105347725：栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法

专利名称	【2010105347725】栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法
合同备案号	X2021980000962	备案日期	2021-02-03	许可人	中国科学院半导体研究所
许可类型	排他许可	被许可人	山西中科潞安紫外光电科技有限公司
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