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专利名称 2014106574122一种具有整流的碳化硅JFET栅结构的制备方法
合同备案号 2018320000192 备案日期 2018-10-12 许可人 中国电子科技集团公司第五十五研究所
许可类型 普通许可 被许可人 扬州国扬电子有限公司
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