2015201249793：一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS器件

专利名称	【2015201249793】一种P柱区阶梯掺杂的二维类SJ/RESURF LDMOS器件
合同备案号	2016320000212	备案日期	2016-11-18	许可人	南京邮电大学
许可类型	普通许可	被许可人	江苏南邮物联网科技园有限公司
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