2016108371102：一种Zn:Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法

专利名称	【2016108371102】一种Zn:Ga₂O₃薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法
合同备案号	X2024330001056	备案日期	2024-11-15	许可人	浙江理工大学
许可类型	普通许可	被许可人	温州霞光印刷有限公司
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