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专利名称 2011101692858基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法
合同备案号 2017610000002 备案日期 2017-02-09 许可人 西安电子科技大学
许可类型 独占许可 被许可人 扬州扬杰电子科技股份有限公司
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