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专利许可
专利名称
【
2007101919831
】
无负阻LDMOS器件结构及其生产方法
合同备案号
2015320000653
备案日期
2015-12-17
许可人
中国电子科技集团公司第五十五研究所
许可类型
独占许可
被许可人
扬州国宇电子有限公司
浏览人次
2
备 注
【关 闭】
