201110122724X：N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法

专利名称	【201110122724X】N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法
合同备案号	2017610000002	备案日期	2017-02-09	许可人	西安电子科技大学
许可类型	独占许可	被许可人	扬州扬杰电子科技股份有限公司
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