2014101140521：一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法

专利名称	【2014101140521】一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法
合同备案号	2018370000043	备案日期	2018-10-11	许可人	山东大学
许可类型	独占许可	被许可人	山东加睿晶欣新材料股份有限公司
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