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专利许可
专利名称
【
2016109411751
】
一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法
合同备案号
X2024980004262
备案日期
2024-04-15
许可人
中国电子科技集团公司第四十六研究所
许可类型
普通许可
被许可人
中电晶华（天津）半导体材料有限公司
浏览人次
0
备 注
【关 闭】
