2011101917283：一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路模型的仿真方法

专利名称	【2011101917283】一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的电路模型的仿真方法
合同备案号	2016320000210	备案日期	2016-11-14	许可人	南京邮电大学
许可类型	普通许可	被许可人	江苏南邮物联网科技园有限公司
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