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专利许可
专利名称
【
2014101135383
】
在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法
合同备案号
2018370000043
备案日期
2018-10-11
许可人
山东大学
许可类型
独占许可
被许可人
山东加睿晶欣新材料股份有限公司
浏览人次
17
备 注
【关 闭】
