2011100660864：集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法

专利名称	【2011100660864】集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法
合同备案号	X2026980006159	备案日期	2026-04-29	许可人	中国科学院微电子研究所
许可类型	独占许可	被许可人	北京明启芯途科技发展合伙企业（有限合伙）
浏览人次	4	备注