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专利许可
专利名称
【
2010105411346
】
高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法
合同备案号
X2026990000024
备案日期
2026-02-03
许可人
中国科学院微电子研究所
许可类型
普通许可
被许可人
英特尔公司
浏览人次
12
备 注
【关 闭】
