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专利许可
专利名称
【
2020114338502
】
高压非对称结构LDMOS器件及其制备方法
合同备案号
X2023980033363
备案日期
2023-03-08
许可人
北京智芯微电子科技有限公司
许可类型
普通许可
被许可人
深圳市国电科技通信有限公司
浏览人次
7
备 注
【关 闭】
