首页
专利运营库
企业需求库
融资需求
开放许可
专利许可
专利许可库
专利许可备案
专利许可变更
专利许可注销
许可类型：
独占许可
排他许可
普通许可
分许可
开放许可
其他
许可人：
被许可人：
关键词：
2026-02-03
【2009100895970】控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011102544406】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012101346050】一种半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2009102387681】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2019107501174】一种厚膜氮化硅的区域挖槽制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012104951878】半导体器件制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010101476017】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2017111652233】一种鳍式场效应晶体管及其制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103334700】半导体器件结构及其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014101961769】一种半导体器件的制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013103398196】一种MOSFET结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2009103076891】一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2018112916549】半导体器件与其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012104486861】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010101294536】一种半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2016100821498】具有多栅FinFET的半导体器件及其制造方法及电子设备 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013101512873】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103036913】一种半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013104462293】FinFet器件源漏区的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011100463601】PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
首 页
上一页
11/21395（共427882条）
下一页
尾 页
跳转
