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2026-02-03
【2010105523182】沟槽隔离结构及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2013101256487】增强浅沟槽隔离应力的方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2015102923330】一种半导体器件的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【201210120451X】半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014105250450】鳍式场效应晶体管及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2011101978893】薄膜沉积方法以及半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010106174193】半导体器件的形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010106174189】半导体器件及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2011103368011】晶体管制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012102416991】一种低功函数金属栅形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012102473852】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012100677732】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2009102428003】一种半导体器件 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2017107249771】一种CMOS器件及其制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012105209495】FinFET及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012102935739】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012105064960】P型MOSFET的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2015104682841】SOI器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012102467067】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【201210407433X】MOSFET的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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