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2026-02-03
【2012103329331】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2009100776242】一种调节金属栅的栅功函数的方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2013101421817】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012104076157】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014103285811】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2018116161800】MOS器件的制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012105058601】平坦化处理方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013101417648】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013103150519】隧穿场效应晶体管及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010102307711】半导体器件结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014104090384】一种源漏外延工艺的监测方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【201010104991X】一种半导体器件的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011102522765】一种半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012100809962】一种半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012102293099】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010102969628】一种半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011102409315】半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2011101449781】阱区的形成方法和半导体基底 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014106819740】鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2019111138268】一种套刻误差的补偿方法及装置 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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