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2026-02-03
【2011102033896】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2013104764626】一种MOSFET结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012104730324】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【201110208407X】消除接触孔工艺中桥接的方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013100505406】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011103940142】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011103751085】一种半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2009102441328】具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012103566356】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010101476055】一种半导体器件的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012105101300】一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2009100878072】控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2009102357807】高性能半导体器件的形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2018114361732】CMOS器件及其制备方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014103397997】半导体器件的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012105217364】等平面场氧化隔离结构及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012100887707】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013102866697】测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014105689468】CMOS器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013100501250】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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