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2026-02-03
【201110240932X】半导体器件结构及其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2017111652233】一种鳍式场效应晶体管及其制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010105573957】沟槽隔离结构及其形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011103008285】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2015107464389】包括带电荷体侧墙的半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012102295431】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012100373192】曝光电子束正性抗蚀剂的方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011101708752】MOSFET及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010101476017】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012104951878】半导体器件制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013100501250】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010106228742】晶体管及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011101824236】多栅器件的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014101466899】一种40nm以下尺寸的器件的化学机械平坦化的工艺方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2009102354669】一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011101652390】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012102465822】栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2019107502459】一种区域厚膜氮化硅的制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103070083】浅沟槽隔离及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014101058029】一种半导体器件的掺杂方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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