本发明属于碳化硼陶瓷技术领域，涉及一种具有梯度孔结构的碳化硼核控制棒及其制备方法。所述碳化硼核控制棒，从内到外依次为内芯、中间层以及外层，并且碳化硼核控制棒的孔隙率以及平均孔径从内芯到外层依次增大；碳化硼核控制棒的内芯孔隙率和平均孔径分别在6.1%~11.6%和1.5~5.6μm范围内调控，中间层孔隙率和平均孔径分别在13.2%~18.6%和4.7~12.4μm范围内调控，外层孔隙率和平均孔径分别在20%~31.2%和15.3~22.4μm范围内调控。本发明通过设计多粒径碳化硼粉末的梯度结构制备碳化硼核控制棒，有效解决了碳化硼核控制棒使用过程中因氦气滞留引发的肿胀应力问题，且制备工艺简单。