登录
注 册
首页
专利运营库
企业需求库
融资需求
开放许可
专利许可
专利名称
【
2009102357807
】
高性能半导体器件的形成方法
合同备案号
X2026990000024
备案日期
2026-02-03
许可人
中国科学院微电子研究所
许可类型
普通许可
被许可人
英特尔公司
浏览人次
7
备 注
【关 闭】
