2018103524740：一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法

专利名称	【2018103524740】一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法
合同备案号	X2025980050416	备案日期	2025-12-31	许可人	北京工业大学
许可类型	开放许可	被许可人	上海亿为科技有限公司
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