2017112405110：硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件

专利名称	【2017112405110】硅基MOS薄膜发光器件及其制备方法和全光谱薄膜发光器件
合同备案号	X2025980045760	备案日期	2025-12-18	许可人	西安交通大学
许可类型	开放许可	被许可人	西安诺瓦星云科技股份有限公司
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