2012102465822：栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件

专利名称	【2012102465822】栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件
合同备案号	X2026990000024	备案日期	2026-02-03	许可人	中国科学院微电子研究所
许可类型	普通许可	被许可人	英特尔公司
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