2015107465536：包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的半导体器件及其制造方法

专利名称	【2015107465536】包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的半导体器件及其制造方法
合同备案号	X2026990000024	备案日期	2026-02-03	许可人	中国科学院微电子研究所
许可类型	普通许可	被许可人	英特尔公司
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