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开放许可
专利许可
专利名称
【
2018103524755
】
一种具有P型岛缓冲层结构的抗辐射MOSFET结构
合同备案号
X2025980048323
备案日期
2026-01-06
许可人
北京工业大学
许可类型
开放许可
被许可人
河北雄安雄柘科技服务有限公司
浏览人次
8
备 注
【关 闭】
