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专利许可
专利名称
【
2011100991335
】
浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件
合同备案号
X2026990000024
备案日期
2026-02-03
许可人
中国科学院微电子研究所
许可类型
普通许可
被许可人
英特尔公司
浏览人次
20
备 注
【关 闭】
