2018103524740：一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法

专利名称	【2018103524740】一种外延前硼注入复合双层外延的n-MOSFET制备方法
合同备案号	X2025980048318	备案日期	2026-01-06	许可人	北京工业大学
许可类型	开放许可	被许可人	河北雄安雄柘科技服务有限公司
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