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专利许可
专利名称
【
2010101999819
】
一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法
合同备案号
X2026990000024
备案日期
2026-02-03
许可人
中国科学院微电子研究所
许可类型
普通许可
被许可人
英特尔公司
浏览人次
7
备 注
【关 闭】
