2011102951898：制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构

专利名称	【2011102951898】制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构
合同备案号	X2026990000024	备案日期	2026-02-03	许可人	中国科学院微电子研究所
许可类型	普通许可	被许可人	英特尔公司
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