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2026-02-03
【201410707178X】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012100373192】曝光电子束正性抗蚀剂的方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2011101043621】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2019108372946】一种CMOS晶体管、CMOS晶体管的制备方法及电子设备 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010105778529】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012105057543】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2016101541278】半导体器件及其制造方法和包括其的电子设备 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012100674467】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012101295877】双金属栅极CMOS器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011100669290】一种半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010105726083】一种半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012102588076】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011102576587】后栅工艺中假栅的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010106174193】半导体器件的形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010106174189】半导体器件及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011101824236】多栅器件的形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014101466899】一种40nm以下尺寸的器件的化学机械平坦化的工艺方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【201210295970X】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010105319852】接触电极制造方法和半导体器件 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013104462293】FinFet器件源漏区的形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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