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2026-02-03
【2015101478015】栅导体层及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【200910244516X】MOSFET结构及其制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011101704978】MOSFET及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014107247560】FinFET工艺标准单元库版图结构设计方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010101575385】以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014100173528】制造半导体器件的方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011101824081】多栅器件的形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010105272381】应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012101220372】浅沟槽隔离化学机械平坦化方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011102637665】低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013104793563】一种FinFET及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【201610663545X】一种鳍式场效应晶体管及其制备方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014104049021】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012102972297】浅沟槽隔离制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010106125892】MOS晶体管及其制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2009100775220】抑制高k栅介质/金属栅结构界面层生长的方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013101848013】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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