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2026-02-03
【2012100373192】曝光电子束正性抗蚀剂的方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2011101043621】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2019108372946】一种CMOS晶体管、CMOS晶体管的制备方法及电子设备 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010105778529】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013101417648】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013104462293】FinFet器件源漏区的形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012105061892】FinFET及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2015105614019】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2009102415395】一种用于PMOS器件的金属栅功函数的调节方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2009100878072】控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010101565701】一种源漏区、接触孔及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2016100689776】EUV设计规则、光源和掩模的联合优化和成像建模方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2015103752086】一种金属薄膜溅射的PVD工艺 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013106301807】半导体装置及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010105672609】化学机械平坦化方法和后金属栅的制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010101110763】半导体结构的形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013102696978】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2015105488336】一种外延结构及方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011102412182】半导体器件 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010106174475】半导体器件及其制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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