首页
专利运营库
企业需求库
融资需求
开放许可
专利许可
专利许可库
专利许可备案
专利许可变更
专利许可注销
许可类型:
独占许可
排他许可
普通许可
分许可
开放许可
其他
许可人:
被许可人:
关键词:
2026-02-03
【2015106123194】FinFET及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010105319852】接触电极制造方法和半导体器件 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012104480136】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2013101198496】FinFET及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012102064013】半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014104595711】一种FinFET结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2013101438023】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2013104803777】一种MOSFET结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014106819721】鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012101475545】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014104844076】CMOS器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2016103422061】一种掩膜图形的优化方法、最佳焦平面位置测量方法及系统 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012105057543】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2016101541278】半导体器件及其制造方法和包括其的电子设备 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012103000466】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2009102387681】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2013100501231】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014106819740】鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2019111138268】一种套刻误差的补偿方法及装置 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012100831561】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
首 页
上一页
25/23746(共474907条)
下一页
尾 页
跳转