首页
专利运营库
企业需求库
融资需求
开放许可
专利许可
专利许可库
专利许可备案
专利许可变更
专利许可注销
许可类型：
独占许可
排他许可
普通许可
分许可
开放许可
其他
许可人：
被许可人：
关键词：
2026-02-03
【2010105003830】后栅工艺中金属栅的制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014104591496】一种FinFET结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2009102375453】一种制造半导体器件的方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011100774776】半导体制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201310331347X】半导体设置及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011101783876】MOSFET及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2016101537198】FinFET及其制造方法和包括其的电子设备 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2017112902448】半导体装置及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011101954390】隔离结构以及半导体结构的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012104478348】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201310524439X】隧穿场效应晶体管及其形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014107084313】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103951052】精细线条制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2017102793590】一种电子显微图像线条宽度和粗糙度的测量方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201310185048X】半导体器件制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2019108695923】一种Ge基CMOS晶体管制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014105732203】一种FINFET结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201110240932X】半导体器件结构及其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014103397997】半导体器件的制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012100887707】半导体器件制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
首 页
上一页
7/21395（共427882条）
下一页
尾 页
跳转
