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2026-02-03
【2011102748526】MOSFET及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012102285980】半导体器件制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102151652】一种半导体器件及其形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014103459601】一种锗的化学机械抛光方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201210106806X】鳍形场效应晶体管制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011104171392】用STI的拐角应力增强MOSFET性能 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102692600】半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013100500559】半导体设置及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2015107452288】包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201610663545X】一种鳍式场效应晶体管及其制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014104049021】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011102213757】一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201210505744X】半导体器件的制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2009102427693】半导体材料鳍片 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013104733276】后栅工艺中伪栅器件及半导体器件的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012100809962】一种半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010105017034】金属互连结构及金属层间通孔和互连金属线的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102449873】应变半导体沟道形成方法和半导体器件 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011103113436】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014104844076】CMOS器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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