首页
专利运营库
企业需求库
融资需求
开放许可
专利许可
专利许可库
专利许可备案
专利许可变更
专利许可注销
许可类型:
独占许可
排他许可
普通许可
分许可
开放许可
其他
许可人:
被许可人:
关键词:
2026-02-03
【2016104387652】基于外延层的半导体器件及其制造方法及包括其的电子设备 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010101850255】一种半导体结构及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014103398665】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2011103085544】MOSFET及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010101026960】一种MOS场效应晶体管 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【201310151460X】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014101993115】FinFet器件的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010102151258】一种半导体器件及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2013102156467】半导体制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010106228742】晶体管及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2011103368011】晶体管制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014105250450】鳍式场效应晶体管及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2014102175922】一种平坦化的工艺方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012103936692】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2015106244926】一种鳍及半导体器件的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010106016999】半导体器件的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012101295877】双金属栅极CMOS器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2011100669290】一种半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2010105726083】一种半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012102588076】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
首 页
上一页
10/21395(共427882条)
下一页
尾 页
跳转