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2026-02-03
【2015107466312】包括带电荷掺杂剂源层的半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012100673125】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103334700】半导体器件结构及其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014101961769】一种半导体器件的制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013103398196】一种MOSFET结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2015107452288】包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013104770788】一种MOSFET结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010105320614】晶体管及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013106744383】半导体设置及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011102213757】一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010105272606】应力隔离沟槽半导体器件的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2009103076891】一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2018112916549】半导体器件与其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012102293099】半导体器件制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102969628】一种半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011102409315】半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102449873】应变半导体沟道形成方法和半导体器件 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011103113436】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010101758155】一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201410707178X】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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