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2026-02-03
【201410454224X】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2018116161800】MOS器件的制作方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012105058601】平坦化处理方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011101954390】隔离结构以及半导体结构的形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012101415455】FinFET及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012105005337】形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2015106002166】半导体器件 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012102588540】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2019101076316】金属栅功函数的调节方法及MOSFET的制备方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014104596146】一种FinFET结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014104591496】一种FinFET结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010105017123】半导体结构的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014103398665】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2017102723367】一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2009100895970】控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011102544406】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014103539451】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013104783966】一种非对称超薄SOIMOS晶体管结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014104126564】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012100674467】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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