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2026-02-03
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2026-02-03
【2013104765436】一种MOSFET结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2012102960459】半导体器件制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2012105071343】FinFET及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
2026-02-03
【2019105368686】一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010101850255】一种半导体结构及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2009102375453】一种制造半导体器件的方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011100774776】半导体制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013102156467】半导体制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011100533017】一种半导体结构及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010102151258】一种半导体器件及其形成方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2011101375735】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【201410024925X】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2014104789280】一种半导体器件的制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2016101661180】一种后栅工艺MOS器件的制备方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2013101568402】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2019111559318】一种漂移探测器的制备方法及漂移探测器 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010102151169】层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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【2010102392733】半导体器件及其制造方法 (许可人:中国科学院微电子研究所)
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