首页
专利运营库
企业需求库
融资需求
开放许可
专利许可
专利许可库
专利许可备案
专利许可变更
专利许可注销
许可类型：
独占许可
排他许可
普通许可
分许可
开放许可
其他
许可人：
被许可人：
关键词：
2026-02-03
【2010102731200】混合沟道半导体器件及其形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201210140207X】半导体器件制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012105209495】FinFET及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2020219362984】带铁电或负电容材料的器件及包括该器件的电子设备 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010105992522】自对准金属硅化物的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102151455】半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011102255247】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012105019857】双应力异质SOI半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102238707】一种半导体器件及其形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2009102438518】高性能半导体器件及其形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2015106292455】CMOS制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010106228742】晶体管及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102410360】半导体器件结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201811614851X】半导体结构与其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2015105804174】一种形成自对准接触部的方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2019106316725】一种半导体器件制备方法及制备得到的半导体器件 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011100746047】热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETS及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010106016999】半导体器件的制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012100558273】围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012104478511】鳍结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
首 页
上一页
20/20931（共418603条）
下一页
尾 页
跳转
