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2026-02-03
【201010242722X】MOSFET结构及其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011102543403】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013101607727】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【201010612577X】半导体器件及其形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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【2011101954390】隔离结构以及半导体结构的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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【2012101415455】FinFET及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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【2012105005337】形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013101438023】半导体器件制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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【201110265073X】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012105209495】FinFET及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2020219362984】带铁电或负电容材料的器件及包括该器件的电子设备 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010105992522】自对准金属硅化物的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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【2010102151455】半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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【2010105530504】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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【201110375162X】一种分子尺度界面SiO
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的形成和控制方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011103295792】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014103372966】一种FinFET制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102234706】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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【2014104090384】一种源漏外延工艺的监测方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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【201410024925X】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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