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2026-02-03
【201510516131X】具有均匀阈值电压分布的半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012102468303】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103936692】半导体器件制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012101358575】半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010105743572】半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2016100825291】具有负电容的FinFET及其制造方法及电子设备 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102596266】半导体器件及其局部互连结构的制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102570232】超薄体晶体管及其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2015105488336】一种外延结构及方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2015107365006】一种反熔丝结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010101537561】半导体结构及其形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103329331】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012104472924】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013104733276】后栅工艺中伪栅器件及半导体器件的形成方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013102866697】测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102427041】半导体器件结构及其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010106125892】MOS晶体管及其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011101449781】阱区的形成方法和半导体基底 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014105689468】CMOS器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102990281】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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