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2026-02-03
【201210505744X】半导体器件的制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103109539】半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013102156471】半导体制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014103459601】一种锗的化学机械抛光方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010101834500】一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012104472591】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2015107466312】包括带电荷掺杂剂源层的半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103334700】半导体器件结构及其制作方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014101961769】一种半导体器件的制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102392733】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102335497】p型半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2010102410360】半导体器件结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2011100064298】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103311304】一种制造场效应晶体管的方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012105059089】平坦化处理方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2016101661180】一种后栅工艺MOS器件的制备方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2015101478015】栅导体层及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2013100148729】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2014103401047】半导体器件及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
2026-02-03
【2012103977917】半导体结构及其制造方法 （许可人：中国科学院微电子研究所）
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